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单片机特点
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高性能RISC CPU 架构
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工作模式：2个FPPATM平行工作模式或传统单片机工作模式
3
4Kx16 bits OTP 程序存储器
4
208 Bytes 数据存储器
5
提供101 条指令
6
大部分指令都是单周期（1T）指令
7
弹性化的堆栈深度，可程序设定
8
提供数据与指令的直接、间接寻址模式
9
所有的数据存储器都可当数据指针（index pointer）
10
程序代码保护功能
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独立的IO 地址以及存储地址，方便程序开发
系统功能
| 1 |
时钟源：内部高频振荡器（IHRC）、内部32kHz 振荡器（ILRC）、外部晶振 |
| 2 |
内置Band-gap 定电压产生器，提供1.20±0.03V 参考电压 |
| 3 |
内置一个硬件16 位计数器 |
| 4 |
内置一个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出 |
| 5 |
内置一个11 通道 12 位分辨率 A/D 转换器，其中1 通道是Band-gap 定电压输入 |
| 6 |
内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用 |
| 7 |
最多提供4*21点LCD显示 |
| 8 |
提供快速唤醒模式 |
| 9 |
8段LVD复位设定：4.1V、3.6V、3.1V、2.8V、2.5V、2.2V、2.0V、1.8V |
| 10 |
内置一个硬件比较器，提供外部输入信号、内部参考电压比较 |
| 11 |
26 个IO 引脚，每一IO 引脚具有10mA 电流驱动能力 |
| 12 |
2个外部中断输入引脚 |
| 13 | 每个引脚都可弹性设定唤醒功能 |
| 14 |
工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式 |
| 15 |
工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式)：DC ~8MHz@VDD≧4V DC ~4MHz@VDD≧3V DC ~2MHz@VDD≧2.5V DC ~1MHz@VDD≧2.2V |
| 16 |
工作电压：2.2V ~ 5.5V |
| 17 |
工作温度：-40°C ~ 85°C |
| 18 |
低功耗特性：Ioperating ~1MHz@VDD≧2.2V, VDD=5.0V; Ioperating ~ 15uA@ VDD=3.3V, ILRC ~12KHz Istandby ~1uA@VDD=5.0V; I standby ~0.5uA@VDD=3.3V |
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